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behlke快速高壓晶體管開關(guān)HTS 151-03-GSM,HTS-GSM系列的開關(guān)模塊由兩個相同的MOSFET開關(guān)路徑組成,分別形成所謂的半橋電路推挽電路。兩個開關(guān)路徑都由公共驅(qū)動器控制,該公共驅(qū)動器還為開關(guān)之一提供邏輯信號否定。
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behlke快速高壓晶體管開關(guān)HTS 151-03-GSM
HTS-GSM系列的開關(guān)模塊由兩個相同的MOSFET開關(guān)路徑組成,
分別形成所謂的半橋電路推挽電路。兩個開關(guān)路徑都由公共驅(qū)動器
控制,該公共驅(qū)動器還為開關(guān)之一提供邏輯信號否定。開關(guān)是相互
被動鎖定的,因此在任何情況下,包括如果控制輸入受到電磁干擾
(例如,由于不良的EMC設(shè)計),橋中的短路都被排除在外。特
別是在帶容性負(fù)載的脈沖發(fā)生器中,推挽原理比傳統(tǒng)的單開關(guān)電路
具有很大的*性。推挽電路不需要大容量的儲能電容器來實現(xiàn)低
的脈沖降,而且由于沒有工作電阻的功率損耗,推挽脈沖發(fā)生器的
效率很高,無論脈沖寬度、頻率和占空比如何。脈沖發(fā)生器只提取
電流用于對連接的負(fù)載電容充電。由于開關(guān)的定時非常精確,除了
開關(guān)自然電容的峰值充電電流外,電橋中幾乎沒有交叉電流。
開關(guān)是由3至10伏特幅度的正向信號控制的。過頻、熱過載
(長期過載)和不正確的輔助電源等故障條件將開關(guān)路徑A
設(shè)置為關(guān)斷狀態(tài),而將開關(guān)路徑B設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。故障在
故障信號輸出端顯示為“L"信號。沒有5VDC電源,兩個開
關(guān)路徑(A和B)都處于關(guān)閉狀態(tài)。這意味著,沒有5VDC的
輸出潛力可能是不確定的,如果高壓仍然適用。為了確保在
這種情況下定義的高電壓輸出電位,上拉或下拉電阻器必須
連接到輸出。
特點(diǎn)
快速過渡時間,上升時間和下降時間~15 ns
從150ns到無窮大的可變脈沖寬度
在脈沖頂部沒有脈沖下降和非常低的紋波
無工作電阻電源,緩沖電容小
HTS 151-03-GSM技術(shù)參數(shù)
最大工作電壓 2x15000V
典型擊穿電壓 2x18000V
最大峰值電流能力 2x30A
最大連續(xù)負(fù)載電流 2x0.41A
靜態(tài)導(dǎo)通電阻 2x90Ω
最大離態(tài)電流 10μADC
傳播延遲時間 150 ns
典型輸出轉(zhuǎn)換時間 26 ns
輸出脈沖寬度 [ns] 150...∞
最小脈沖間隔 400ns
連續(xù)開關(guān)頻率 10kHz
最大突發(fā)頻率 2.5MHz
尺寸 163x64x62 mm3
重量 460g
behlke快速高壓晶體管開關(guān)HTS 151-03-GSM
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